第1126章 没有集成基带，所以功耗更高（2/2）

“陈总，不好意思，实验室那边在跑一组频率稳定性测试，走不开。”

“没事，坐。”

陈星指了一下沙发，陆远江在俞学林旁边坐下。

“陆教授，俞总刚跟我说了h3的热阈值调试还在进行，目前还有问题？”

陆远江点了下头，没有任何遮掩。

“是的，坦白说问题比我预期的要顽固一些。”

“具体说说。”

“陈总，那我直说了，芯片主频拉到以后，功耗和发热确实到了一个比较极限的位置。”

“芯片主频越高，需要的核心电压越高。cpu的功耗和电压的平方成正比，同时和频率成正比。”

“hpm工艺本身的特点就是静态漏电流比lp工艺更大，主频越往上拉，越逼近工艺极限频率，晶体管的漏电就越厉害。”

“通俗点说，就是芯片在什么都不干的时候，也在发热。”

陈星点头，这些基础原理他也清楚。

俞学林插了一句，“空闲都在发热？那干活的时候岂不是……”

“所以问题就在这里。”陆远江把笔放下，“对比膏通骁龙800的到我们的，频率提升了大约13%，但核心电压也相应提升了，综合下来功耗上涨了20%到30%之间。”

“这就是发热的根源之一。”

陈星没说话，等他继续往下讲。

陆远江搓了搓手，“我们团队做了一组和骁龙800的详细对比数据，陈总你看一下。”

“骁龙800这颗soc，短时峰值功耗大约在4.2到4.5瓦之间，可持续稳定释放在2.8到3.2瓦。”

“我们凌霄h3呢，可持续稳定释放是3.3到3.5瓦。这个差距不大，在可接受范围内。”

陈星和俞学林对视了一眼，峰值功耗压得比骁龙低，说明芯片本身的能效比不错，起码比膏通的骁龙800要强。

“日常轻负载的时候，比如刷围脖、看新闻这种场景，整机soc平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空闲的漏电比骁龙800略高一点，这是高频版本晶体管漏电的代价，没法完全消除，只能通过调度策略去缓解。”

说到这里，陆远江停顿了一下。

“但是！”

“数据上网场景下，问题就出来了。”

“骁龙800在数据上网时，soc加基带的总功耗大约在3.4到3.8瓦。”

“我们凌霄h3呢，同样的场景，总功耗要到4.0到4.4瓦。”

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